粉體圈首頁     您好,歡迎來到粉體圈網絡!
個人注冊   企業注冊   登錄   找回密碼   進入供求市場
粉體圈專注為粉碎設備,粉體設備等廠家提供粉體技術,粉體會議等信息及粉體展示和交流平臺。 粉體圈專注為粉碎設備,粉體設備等廠家提供粉體技術,粉體會議等信息及粉體展示和交流平臺。
?當前位置:粉體圈首頁>粉體資訊>行業要聞>正文
天津理工大徐永寬:關于碳化硅單晶制備技術及產業發展的幾點拙見
2020年12月17日 發布 分類:行業要聞 點擊量:123
0

作為第三代寬帶隙半導體材料,碳化硅SiC具有較寬的帶隙、高導熱系數、低介電常數、優異抗輻射能力等有利的材料特性,因此與硅Si半導體相比,其工作損耗小,可實現耐熱溫度高的半導體器件,電力控制用功率器件材料、高耐壓的高頻器件材料、在高溫環境下使用的耐環境器件材料、耐輻射線器件材料等方面有巨大的應用潛力。

無論在哪一種應用,都需要高品質的碳化硅單晶。雖然大多數的半導體單晶都可以從熔融狀態或溶液中生長出來,但碳化硅本身的特性導致其生長條件極為苛刻壓力達105 atm,溫度達3200 ℃才熔融,用這倆方法都難以生長出單晶,目前生長碳化硅晶體的方法主要有物理氣相傳輸法、高溫化學氣相沉積法、液相法等。不過由于客觀上存在的難度,使碳化硅晶片技術仍存在較多困難,特別是大尺寸碳化硅單晶生長、加工技術急需提高。

碳化硅

但無論如何,在當前節能減排的國際形勢下,只有快速、穩定地突破襯底尺寸和質量等關鍵問題,才能夠更好地推廣碳化硅半導體的應用并降低碳化硅器件的制作成本,電力電子帶來重要的技術革新。如果您對這方面感興趣的話,歡迎來到“2021全國高純粉體與晶體材料創新發展論壇”上,聽一聽來自天津理工大學功能晶體研究院徐永寬副院長為我們分享的題為《關于碳化硅單晶制備技術及產業發展的幾點拙見》的報告。

據徐老師透露,屆時他將會對碳化硅單晶材料的應用領域和市場前景、碳化硅單晶材料制備工藝路線、國內外現狀等進行簡述,針對碳化硅單晶材料產業發展提出自己的見解,對相關產業鏈中原材料、單晶設備、晶體工藝、加工工藝路線的存在優化空間和投資價值的點進行具體介紹。含金量可謂是相當高了,錯過可就太可惜了!

關于報告人

徐永寬

徐永寬,天津理工大學功能晶體研究院副院。1998年本科畢業于川聯合大學材料科學系,2009年在天津大學電子與通信工程專業獲得工程碩士學位。1998-2019年在中國電子科技集團公司第四十六研究所從事光電晶體及半導體材料制備工藝研究。2010年起先后任中國電科第四十六所研發部副主任、主任,中國電子科技集團公司新型半導體晶體材料技術重點實驗室副主任,特聘研究員。天津市“131”創新型人才第一層次人選。2019年調職入天津理工大學功能晶體研究院。目前為中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會理事。

主要研究領域為II-VI族、III-V族及寬禁帶半導體單晶材料生長工藝研究、單晶材料加工技術研究,同時在單晶生長設備設計制造方面有豐富經驗。熟悉PVT、HVPE、VB、VGF、Cz、LEC、導模、溶液降溫等多種單晶生長工藝。曾先后主持科研項目10項,作為主要成員參與科研項目20多項。發明及參與發明專利及實用新型專利申請上百項,其中授權62項,待審核21項。

粉體圈會務組


相關內容:
0
 
?
點擊加入粉體技術交流群粉體技術群
返回頁頂
甘肃快三图表 南粤风采36选7走势图查询今天 江苏11选5历史遗漏 山东麻将游戏下载 招财鞭炮连线游戏技巧 明升娱乐场-老时时彩开奖号码 即时比分90vs 同城游赖子麻将 福彩35选7中奖号码 码报数字生肖对照表 易贷网p2p理财官网 百家乐法则—官方网址 河北快三两组和值遗漏 浙江11选5开奖情况 法国克罗地亚比分预测3比0 贵州麻将怎么打 快3一分钟玩法漏洞